更新時間:2026-04-21
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隨著先進半導體技術的發展對自對準和“自下而上"精準制造的需求愈發迫切,區域選擇性原子層沉積 (AS-ALD)技術憑借獨特優勢,受到廣泛關注。
2025年6月25日,在濟州島的國際ALD/ALE會議上,Lam Research 的工程師Rachel.NyedeCastro 做了區域選擇性沉積(ASD)的報告。報告主要圍繞在金屬基體上選擇性沉積電解質圖案,實現從試點生產(小的測試片)到規模化的晶圓沉積。
Rachel Nye 的報告中顯示,Lam公司試點生產線的前期啟動實驗采用了Anric Technologies 的ALD設備。特別值得一提的是,截至目前,Lam 公司已采購8套同類設備用于試點生產線建設,從而被譽為AnricTechnologies 的“鐵桿粉絲客戶"。
以下是該報告的內容介紹:











報告人:Rachel Nye
Rachel Nye,導師:Gregory Parsons,于2022年博士畢業于NC State University,后加入Lam Research 公司。她的研究主要集中在分子層沉積和區域選擇性沉積,現在西海岸地區從事區域選擇性沉積方面的工作。